新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

產(chǎn)品簡介

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

產(chǎn)品型號：LFZ-2KW

更新時間：2024-04-18

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問量：2217

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

材料制備/樣品合成

單晶爐薄膜、顆粒、膠體等制備爐子（燒結(jié)爐、電弧爐等）納米直寫、光刻設(shè)備

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可勝任高熔點、高揮發(fā)性材料制備的高性能激光浮區(qū)法單晶爐

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新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設(shè)計理念，新代高性能激光浮區(qū)爐（型號：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向個全新的高度！

應(yīng)用域

可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢：

● 采用全新五束激光設(shè)計，確保熔區(qū)能量分布更加均勻

● 更加科學的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

● 采用了*的實時溫度集成控制系統(tǒng)

RIKEN（CEMS）設(shè)計的五束激光發(fā)生器原型機實物

新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：

加熱控制	加熱類型	5束激光
	激光功率	2KW
	熔區(qū)溫度	2600℃ ~ 3000℃*
	溫度穩(wěn)定性	+/-1℃
晶體生長控制	晶體生長設(shè)計長度可達	150mm*
	晶體生長設(shè)計直徑可達	8mm*
	晶體生長速度/轉(zhuǎn)速可達	300mm/hr; 100rpm
	樣品腔可施加壓力可達	10bar
	樣品腔氣氛	多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配
	晶體生長監(jiān)控	高清攝像頭
	晶體生長控制	PC控制