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激光加熱基座晶體生長爐（LHPG）具有無坩堝、無污染、溫度梯度大、生長速度快、適合生長高熔點(diǎn)的高質(zhì)量晶體等*勢。

微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)（MPCVD）制造的微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng), 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率，降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。

德國SciDre公司推出的高壓氧氣氛退火爐溫度可達(dá)850°C，壓力可達(dá)150個大氣壓?？捎糜诟邏壕w生長的料棒前處理。也可用于含氧晶體的高溫退火處理。

德國SciDre 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達(dá)300Bar，甚至10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

日本 ADVANCE RIKO公司的桌面式超高溫高速退火爐以大功率點(diǎn)聚焦加熱以及超高反射效率可以在10s內(nèi)將15mm×15mm的試樣加熱到1800℃，對SiC以及其它高熔點(diǎn)材料進(jìn)行退火處理。

美國Thermal Technology熱壓爐是為同時需要高溫和高壓的復(fù)雜實(shí)驗(yàn)或研究工作而開發(fā)設(shè)計(jì)的。主要應(yīng)用于粉末材料的稠化、固體部件的擴(kuò)散粘結(jié)、纖維復(fù)合材料的加工等域。