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3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore的問世，源于IBM蘇黎世研發(fā)中心在納米加工技術(shù)的研究成果。 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)直寫機(jī)*次將納米尺度下的3D結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。通過靜電力準(zhǔn)確控制的直寫垂直精度高達(dá)2nm，可以將256灰度反映的高度信息精細(xì)的轉(zhuǎn)移到直寫介質(zhì)上。

高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐是適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。浮區(qū)法單晶爐中的轉(zhuǎn)動(dòng)以及拉伸等控制部分采用了電子控制，與傳統(tǒng)的齒輪變速箱以及離合器相比，這種技術(shù)能夠使得用戶在單晶生長過程中獲得更高的控制精度和更高的生長穩(wěn)定性。

Quantum Design 公司近日推出新款高精度光學(xué)浮區(qū)法單晶爐,這款高性能單晶爐采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計(jì)，溫度可達(dá)2100-2200攝氏度,系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設(shè)計(jì)（不需要額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的恒定加熱功率. …

薄膜材料的真空、等離子制備、處理技術(shù)現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、太陽能等域的研發(fā)以及成產(chǎn)當(dāng)中，這些技術(shù)包括： 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器（PECVD Reactors） 脈沖激光沉積系統(tǒng)（Pulsed Laser Deposition） 磁控濺射系統(tǒng)（Sputter Deposition System） 電子束沉積系統(tǒng)（E-beam Deposition System）

Microwriter ML3小型臺(tái)式無掩膜光刻系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)小巧緊湊（70cm X 70cm X 70cm），無掩膜直寫系統(tǒng)的靈活性，還擁有高直寫速度，高分辨率的點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)控制，可靠性高，操作簡便。適用于各種實(shí)驗(yàn)室桌面。

原子層沉積（Atomic layer deposition）是將氣相前驅(qū)體脈沖交替通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的種方法，是種可以將物質(zhì)以單原子膜形式層層鍍在襯底表面的方法，因此，它是種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米的超薄薄膜沉積。三維原子層沉積系統(tǒng)ALD用飽和化學(xué)吸附的性，可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。