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PRODUCTS CNTER當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心材料制備/樣品合成納米直寫(xiě)、光刻設(shè)備NanoFrazor Explore3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)
3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)-NanoFrazor Explore的問(wèn)世,源于IBM蘇黎世研發(fā)中心在納米加工技術(shù)的研究成果。NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)直寫(xiě)機(jī)*次將納米尺度下的3D結(jié)構(gòu)直寫(xiě)工藝快速化、穩(wěn)定化。通過(guò)靜電力準(zhǔn)確控制的直寫(xiě)垂直精度高達(dá)2nm,可以將256灰度反映的高度信息精細(xì)的轉(zhuǎn)移到直寫(xiě)介質(zhì)上。
產(chǎn)品分類(lèi)
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納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案
NanoFrazor光刻技術(shù),衍生于IBM Research研發(fā)的熱掃描探針光刻技術(shù)——快速、準(zhǔn)確地控制納米針尖的移動(dòng)及溫度,用熱針尖實(shí)現(xiàn)對(duì)熱敏抗刻蝕劑的快速準(zhǔn)確刻寫(xiě),從而為納米制造提供了許多新穎的、*的可能性。
3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)-NanoFrazor Explore以高速、精度和可靠性運(yùn)行,是目前所有掃描探針光刻技術(shù)中速度快、應(yīng)用廣泛的種。
NanoFrazor Explore配備了進(jìn)的硬件和軟件,以較好地方式控制可加熱的NanoFrazor懸臂梁,以便進(jìn)行書(shū)寫(xiě)和成像,實(shí)現(xiàn)基于閉環(huán)光刻技術(shù)的各種高精度圖案化工藝。2019年,Explore增配了激光直寫(xiě)模塊,有效加快了征線寬在微米或亞微米水平的圖形的加工速度,成為納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案。由此,在針對(duì)同抗刻蝕層的圖案化工藝中,實(shí)現(xiàn)了納米刻寫(xiě)與微米刻寫(xiě)的無(wú)縫銜接。從而可以根據(jù)不同的圖案征線寬,采用不同精度的刻寫(xiě)技術(shù),兼顧精度與速度。
主要點(diǎn):
★ 用加熱針尖直接刻寫(xiě)圖案,分辨率于15 nm;
★ 用激光熱揮發(fā)實(shí)現(xiàn)圖案化,分辨率于1 μm;
★ 高速原位AFM輪廓成像;
★ 樣品尺寸100×100 mm2;
★ 閉環(huán)光刻;
★ 灰度曝光,分辨率及精度達(dá)到2 nm;
★ 用原位AFM實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn),從而實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜套刻及寫(xiě)場(chǎng)拼接;
★ 越的隔音及隔振性能;
★ 無(wú)需潔凈間,亦無(wú)殊的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求
閉環(huán)光刻
NanoFrazor光刻系統(tǒng)是基于熱掃描探針光刻技術(shù),其核心部件是種可加熱的、非常尖銳的針尖,用此針尖可以直接進(jìn)行復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的刻寫(xiě)并且同時(shí)探測(cè)刻寫(xiě)所得結(jié)構(gòu)的形貌。加熱的針尖通過(guò)熱作用,直接揮發(fā)局部的抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)各類(lèi)高分辨納米結(jié)構(gòu)的制備。此外,NanoFrazor的光刻技術(shù)能夠與各類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的圖形轉(zhuǎn)移方案(如lift-off、刻蝕)兼容,從而實(shí)現(xiàn)各類(lèi)材料的圖形化制備。
“閉環(huán)光刻"技術(shù)確保圖形化工藝的高準(zhǔn)確度
納米光刻與微米光刻兼顧的圖形化工藝方案
自2019年開(kāi)始,NanoFrazor Explore增配了激光直寫(xiě)模塊,由此在保障納米分辨率圖案刻寫(xiě)精度的同時(shí),大大提升了NanoFrazor Explore對(duì)微米分辨率圖形的刻寫(xiě)速度。
激光刻寫(xiě)
基于激光的熱作用,以亞微米精度,快速、直接地?fù)]發(fā)抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)大面積的圖案化工藝(例如微納結(jié)構(gòu)的引線或焊點(diǎn)圖形制備)。
熱探針直寫(xiě)
對(duì)于納米結(jié)構(gòu)或納米器件關(guān)鍵部分的高精度、高分辨率刻寫(xiě)。
刻寫(xiě)所得結(jié)構(gòu)的測(cè)量、觀測(cè)、對(duì)準(zhǔn)
由于抗刻蝕劑直接揮發(fā),無(wú)須濕法顯影操作即可實(shí)現(xiàn)抗刻蝕劑的圖案化。在圖案化過(guò)程中,同根探針能夠原位、高速的對(duì)圖案化抗刻蝕劑進(jìn)行AFM成像和測(cè)試。
微米尺度及納米尺度的哈佛大學(xué)?;?,對(duì)PPA刻蝕劑的刻蝕深度為30 nm,圖像由NanoFrazor Explore的探針進(jìn)行AFM成像獲得。(Courtesy of Harvard CNS)
設(shè)備型號(hào)
新產(chǎn)品發(fā)布:NEW??! | NanoFrazor Scholar —— 小面積直寫(xiě) |
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■ 3D納米直寫(xiě)能力 高直寫(xiě)精度 (XY:高可達(dá)20nm, Z: 3nm) 高速直寫(xiě) 0.5 mm/s ■ 無(wú)需顯影,實(shí)時(shí)觀察直寫(xiě)效果 形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無(wú)需標(biāo)記識(shí)別,多結(jié)構(gòu)套刻,對(duì)準(zhǔn)精度 50 nm ■ 無(wú)臨近效應(yīng) 高分辨,高密度納米結(jié)構(gòu) ■ 無(wú)電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區(qū)域熱加工和化學(xué)反應(yīng) 多元化納米結(jié)構(gòu)改性 ■ 小樣品臺(tái) 30mm X 30mm |
應(yīng)用案例
三維光子分子(3D PHOTONIC MOLECULES)
(Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018)
單電子器件
Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018
基于二維原子晶體的器件
(Courtesy of Prof. Elisa Riedo, NYU)
基于準(zhǔn)維納米材料的納米器件
(Courtesy of S. Karg & A. Knoll, IBM Research – Zurich)
基于布朗馬達(dá)的納米器件,可用于納米顆粒分類(lèi)
(Courtesy of IBM Research, Publications in Science and PRL 2018)
已發(fā)表的文獻(xiàn)
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● Holzner (SPIE EMLC 2013) Thermal Probe Nanolithography
● Cheong (Nanoletters 2013) Thermal Probe Maskless Lithography for 27.5 nm Half-Pitch Si Technology
● Fei Ding (PhysRevB 2013) Vertical microcavities with high Q and strong lateral mode confinement
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● Kim (Advance Mat 2011) Direct Fabrication of Arbitrary-Shaped Ferroelectric Nanostructures on Plastic, Glass, and Silicon Substrates
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● Holzner (Nanoletters 2011) Directed placement of gold nanorods using a removable template
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● Knoll (Adv Materials 2010) Probe-Based 3-D Nanolithography Using SAD Polymers
● Fenwick (Nat Nano 2009) Thermochemical nanopatterning of organic semiconductors
● Lee (Nanoletters 2009) Maskless Nanoscale Writing of Nanoparticle-Polymer Composites and Nanoparticle Assemblies using Thermal Nanoprobes
● Nelson (APL 2006) Direct deposition of continuous metal nanostructures by thermal dip-pe
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