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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心材料物性測試熱電測量ONYX石墨烯/二維材料電學(xué)性質(zhì)非接觸快速測量

石墨烯/二維材料電學(xué)性質(zhì)非接觸快速測量

產(chǎn)品簡介

石墨烯/二維材料電學(xué)性質(zhì)非接觸快速測量系統(tǒng)-ONYX是款針對石墨烯、半導(dǎo)體薄膜和其他二維材料大面積太赫茲無損表征的測量設(shè)備。

產(chǎn)品型號:ONYX
更新時(shí)間:2024-04-18
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:2848
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石墨烯/二維材料電學(xué)性質(zhì)非接觸快速測量系統(tǒng)

 

    西班牙Das Nano公司成立于2012年,是家提供高安全別打印設(shè)備,太赫茲無損檢測設(shè)備以及個(gè)人身份安全驗(yàn)證設(shè)備的高科技公司。ONYX是其在各地范圍內(nèi)推出的款針對石墨烯、半導(dǎo)體薄膜和其他二維材料大面積太赫茲無損表征的測量設(shè)備。ONYX采用進(jìn)的脈沖太赫茲時(shí)域光譜技術(shù),實(shí)現(xiàn)了從科研及到工業(yè)的大面積石墨烯及二維材料的無損和高分辨,快速的電學(xué)性質(zhì)測量,為石墨烯和二維材料科研和產(chǎn)業(yè)化研究提供了強(qiáng)大的支持。

與傳統(tǒng)四探針測量法相比,ONYX無損測量樣品質(zhì)量空間分布

與拉曼,AFM,SEM相比,ONYX能夠快速表征超大面積樣品

背景介紹

     太赫茲輻射( T射線)通常指的是頻率在0. 110THz、波長在30 μm-3 mm之間的電磁波,其波段在微波和紅外之間,屬于遠(yuǎn)紅外和亞毫米波范疇。該頻段是宏觀經(jīng)典理論向微觀量子理論的過度區(qū),也是電子學(xué)向光子學(xué)的過渡區(qū)。在20世紀(jì)80年代中期以前,由于缺乏有效的產(chǎn)生方法和探測手段,科學(xué)家對于該波段電磁輻射性質(zhì)的了解和研究非常有限,在相當(dāng)長的段時(shí)期,很少有人問津。電磁波譜中的這波段(如下圖) ,以至于形成遠(yuǎn)紅外和亞毫米波空白區(qū),也就是太赫茲空白區(qū)(THz gap)。

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    太赫茲波段顯著的點(diǎn)是能夠穿透大多數(shù)介電材料(如塑料、陶瓷、藥品、緣體、紡織品或木材),這為無損檢測(NDT)開辟了個(gè)可能的新。同時(shí),許多材料在太赫茲頻率上呈現(xiàn)出可識別的頻率指紋性,使得太赫茲波段能夠?qū)崿F(xiàn)對許多材料的定性和定量研究。太赫茲波的這兩個(gè)性結(jié)合在起,使其成為種全新的材料研究手段。而且其光子能量低,不會(huì)引起電離,可以做到真正的無損檢測。

 

ONYX工作原理

    ONYX是實(shí)現(xiàn)石墨烯、半導(dǎo)體薄膜和其他二維材料全面積無損表征的測量系統(tǒng),能夠滿足測試面積從科研(mm2)到晶元(cm2)以及工業(yè)(m2)的不同要求。與其他大面積樣品的測量方法(如四探針法)相比,ONYX能夠直觀得到樣品導(dǎo)電性能的空間分布。與拉曼、掃描電鏡和透射電鏡等微觀方法相比,微米的空間分辨率能夠?qū)崿F(xiàn)對大面積樣品的快速表征。

 

    ONYX采用進(jìn)的脈沖太赫茲時(shí)域光譜THz-TDS技術(shù),產(chǎn)生皮秒量的短脈太赫茲沖輻射。穿透性*的太赫茲輻射穿透進(jìn)樣品達(dá)到各個(gè)界面,均會(huì)產(chǎn)生個(gè)小反射波可以被探測器捕獲,獲得太赫茲脈沖的電場強(qiáng)度的時(shí)域波形。對太赫茲時(shí)域波形進(jìn)行傅里葉變換,就可以得到太赫茲脈沖的頻譜。分別測量通過試樣前后(或直接從試樣激發(fā)的)太赫茲脈沖波形,并對其頻譜進(jìn)行分析和處理,就可獲得被測樣品介電常數(shù),吸收吸收以及載流子濃度等物理信息。再用步進(jìn)電機(jī)完成其掃描成像,得到其二維的電學(xué)測量結(jié)果。

 

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ONYX主要參數(shù)及點(diǎn)

 

樣品大小: 10x10mm-200x200mm  

全面的電導(dǎo)率和電阻率分析

樣品全覆蓋測量

分辨率:50μm

*非接觸無損

無需樣品制備

載流子遷移率, 散射時(shí)間, 濃度分析   

可定制樣品測量面積(m2量)

超快測量速度: 12cm2/min

軟件功能豐富,界面友好

全自動(dòng)操作

圖1  太赫茲光譜范圍及信噪比

 

ONYX主要功能

→  直流電導(dǎo)率(σDC

→  載流子遷移率, μdrift

→  直流電阻率, RDC

→  載流子濃度, Ns

→  載流子散射時(shí)間,τsc

→  表面均勻性

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 ONYX應(yīng)用方向

石墨烯材料:

→  單層/多層石墨烯          

→  石墨烯溶液

→  摻雜石墨烯

→  石墨烯粉末

→  氧化石墨烯

→  SiC外延石墨烯

其他二維材料: 

→  PEDOT

→  Carbon Nanotubes

→  ITO

→  NbC

→  IZO

→  ALD-ZnO

 

石墨烯

光伏薄膜材料

半導(dǎo)體薄膜

電子器件

PEDOT

 

鎢納米線

 

GaN顆粒

Ag 納米線


測試數(shù)據(jù)

1. 10x10mm CVD制備的石墨烯在不同分辨率下的導(dǎo)率結(jié)果

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2.10 x10mm CVD制備的石墨烯不同電學(xué)參數(shù)測量結(jié)果

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3.ONYX測量ALD沉積在硅基底上的TiN電導(dǎo)率測量結(jié)果

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應(yīng)用案例

■  《石墨烯電學(xué)測量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊》

       近期,歐洲計(jì)量創(chuàng)新與研究計(jì)劃(EMPIR)的項(xiàng)目 “GRACE-石墨烯電學(xué)性測量的新方法”發(fā)布了關(guān)于石墨烯電學(xué)性測量方法的標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊。“GRACE-石墨烯電學(xué)性測量新方法”項(xiàng)目是由英國國家實(shí)驗(yàn)室(NPL)主導(dǎo),與意大國家計(jì)量研究所、西班牙Das-nano 公司等合作,旨在開發(fā)石墨烯電學(xué)性的新型測量方法,以及未來石墨烯電學(xué)測量的標(biāo)準(zhǔn)化制定。

 

 

圖 石墨烯電學(xué)測量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊(發(fā)送郵件至info@qd-china.com獲取完整版資料)

  

        石墨烯由于其*異的電學(xué)性,在未來有望成為大規(guī)模應(yīng)用于電子工業(yè)及能源域的新材料。但是,目前受限于:1)如何制備大面積高質(zhì)量石墨烯,且具有均勻和可重復(fù)的電氣和電子性能;2)無論是作為科研用的實(shí)驗(yàn)樣品還是在生產(chǎn)線中的批量化生產(chǎn),對其電學(xué)性質(zhì)的準(zhǔn)確且可重復(fù)的表征方法目前尚不完善,缺乏正確實(shí)施此類測量方法的指導(dǎo)手冊及測量標(biāo)準(zhǔn)。針對目前面臨的問題和挑戰(zhàn),EMPIR 的“石墨烯電學(xué)性測量新方法”項(xiàng)目對現(xiàn)有測量方法進(jìn)行了總結(jié)和規(guī)范指導(dǎo),更重要的是開發(fā)了石墨烯電學(xué)性的快速高通量,非接觸測量的新方法,并用現(xiàn)有技術(shù)對其進(jìn)行了驗(yàn)證,取得了很好的致性。

 

西班牙Das-Nano公司參與了“GRACE-石墨烯電學(xué)性測量新方法”項(xiàng)目中基于THz-TDS的全新非接觸測量方法的開發(fā)及測量標(biāo)準(zhǔn)的制定。基于該技術(shù),Das-Nano推出了款可以實(shí)現(xiàn)大面積(8英寸wafer)石墨烯和其他二維材料的全區(qū)域無損非接觸快速電學(xué)測量系統(tǒng)-ONYX。ONYX采用體化的反射式太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)(THz-TDS)彌補(bǔ)了傳統(tǒng)接觸測量方法(如四探針法- Four-probe Method,范德堡法-Van Der Pauw和電阻層析成像法-Electrical Resistance Tomography)及顯微方法(原子力顯微鏡-AFM, 共聚焦拉曼-Raman,掃描電子顯微鏡-SEM以及透射電子顯微鏡-TEM)之間的不足和空白。ONYX可以快速測量從0.5 mm2到~m2的石墨烯及其他二維材料的電學(xué)性,為科研和工業(yè)化提供了種顛覆性的檢測手段[1,2]。

 

更多詳細(xì)信息請點(diǎn)擊:歐洲計(jì)量創(chuàng)新與研究計(jì)劃(EMPIR)發(fā)布《石墨烯電學(xué)測量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊》

 

參考文獻(xiàn):

[1] Cultrera, A., Serazio, D., Zurutuza, A. et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Sci Rep 9, 10655 (2019).

[2] Melios, C., Huang, N., Callegaro, L. et al. Towards standardisation of contact and contactless electrical measurements of CVD graphene at the macro-, micro- and nano-scale. Sci Rep 10, 3223 (2020).

 

 發(fā)表文章

1. P Bogild et al. Mapping the electrical properties of large-area graphene. 2D Mater. 4 (2017) 042003.

2. S Fernández et al. Advanced Graphene-Based Transparent Conductive Electrodes for Photovoltaic Applications. Micromachines 2019, 10, 402.

3. David M. A. Mackenzie et al. Quality assessment of terahertz time-domain spectroscopy transmission and reflection modes for graphene conductivity mapping. OPTICS EXPRESS 9220, Vol. 26, No. 7, 2 Apr 2018. 

4. A Cultrera et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Scientific Reports , (2019) 9:10655

 

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