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當前位置:首頁產(chǎn)品中心表面成像分析attoAFM/MFM/SHPM低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡

低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡

產(chǎn)品簡介

用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng)(低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡系統(tǒng)),科學家可以在無以倫比的空間分辨率(20nm)和磁場敏感性下分析樣品磁性,工作溫度從低溫、強磁場到室溫。

產(chǎn)品型號:attoAFM/MFM/SHPM
更新時間:2024-04-18
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:2545
詳細介紹在線留言

 

低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡? - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系統(tǒng)

 

納米尺度下的磁學圖像對于研究磁性材料和超導樣品是非常重要的,用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng),科學家可以在無以倫比的空間分辨率(20nm)和磁場敏感性下分析樣品磁性,工作溫度從低溫、強磁場到室溫。

 

德國attocube公司低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡采用模塊化的設計。用標配的控制器和樣品掃描臺,用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。


低溫強磁場磁力顯微鏡 - attoMFM I系統(tǒng)

attoMFM I采用緊湊設計,其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。在掃描時,探針是固定的,而進行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式,通過測量共振頻率或相位變化而確定。

在實驗過程中,樣品和探針保持定的距離,典型值為10-100nm。工作在共振頻率模式時,PLL用于激發(fā)微懸臂,進行閉環(huán)掃描,實現(xiàn)*的空間分辨率(10.7nm,如下圖)。

attoMFM I點與技術勢 attoMFM I技術參數(shù)

+ 工作模式:MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM

+ 可升到SHPM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM

+ 5X5X5mm粗定位范圍,4K

+ 30umX30um掃描范圍,4K

+ MFM*空間分辨率:好于11nm

+ 變溫范圍:mK - 373K

+ 兼容強磁場:可達15Tesla

+ 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器,如Quantum Design-PPMS系統(tǒng)

+ 其緊湊和可靠MFM掃描頭設計

+ 閉環(huán)式掃描模式

+ 外置CCD,用于檢測低溫環(huán)境中樣品的位置

+ 用于超導體的vortex分布與定扎測量

+ 磁性顆粒的局域場測量

+ 磁化率和磁滯回線測量

+ 超導、磁疇、材料科學研究

 

+ 樣品定位范圍:5 X 5 X 5mm,4K

+ 樣品位移步長:0.05 -3um @ 300K, 10 -500nm @ 4K

+ 掃描范圍:40X40 um @300K;30X30 um @4K

+ 磁場強度: 0 -15Tesla (取決于磁體)

+ 變溫范圍:mK - 300K (取決于恒溫器)

+ 工作真空環(huán)境:1X10-6mbar - 1bar(He交換氣氛)

+ MFM側向分辨率:好于20nm

+ RMS z-noise水平(4K):0.05nm

+ z bit分辨率(全范圍內(nèi)):7.6pm

+ z bit分辨率(掃描范圍內(nèi)):0.12pm


低溫強磁場掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統(tǒng)

attoSHPM采用緊湊設計,其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。其探針是采用MBE生長的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測量通過霍爾探針在樣品表面進行掃描而實現(xiàn),將測得的霍爾電壓進行轉(zhuǎn)換,即可計算出局域磁場強度。

attoSHPM點與技術勢 attoSHPM技術參數(shù)
+ 可升到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM

+ 5X5X5mm粗定位范圍,4K

+ 30umX30um掃描范圍,4K

+ 變溫范圍:mK - 373K

+ 兼容強磁場:可達15Tesla

+ 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器,如Quantum Design-PPMS系統(tǒng)

+ 其緊湊和可靠SHPM掃描頭設計

+ 定量和非破壞性磁性測量,mK溫度

+ 閉環(huán)式掃描模式

+ 用于超導體的vortex分布與定扎測量

+ 磁性顆粒的局域場測量

+ 磁化率和磁滯回線測量

+ 超導、磁疇、材料科學研究

 

+ 用STM原理/音叉模式探測樣品與探針之間的距離
+ 樣品定位范圍:5 X 5 X 5mm,4K

+ 樣品位移步長:0.05 -3um @ 300K, 10 -500nm @ 4K

+ 掃描范圍:40X40 um @300K;30X30 um @4K

+ 磁場強度: 0 -15Tesla (取決于磁體)

+ 變溫范圍:mK - 300K (取決于恒溫器)

+ 工作真空環(huán)境:1X10-6mbar - 1bar(He交換氣氛)

+SHPM探針:MBE生長的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結

+ 分辨率:250nm超高分辨

+ z bit分辨率,300K :0.065nm,4.3um掃描范圍

+ 側向(xy)bit分辨率,4K:0.18nm,12um掃描范圍

+ z bit分辨率,4K:0.030nm,2um掃描范圍

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