今年1月，三星電子在學(xué)術(shù)期刊 Nature 上發(fā)表了全·球·個基于 MRAM（磁性隨機存儲器）的存內(nèi)計算研究。存內(nèi)計算由于毋需數(shù)據(jù)在存儲器和處理器間移動，大大降低了 AI 計算的功耗，被視作邊緣 AI 計算的項前沿研究。三星電子的研究團隊通過構(gòu)建新的 MRAM 陣列結(jié)構(gòu)，用基于 28 nm CMOS 工藝的 MRAM 陣列芯片運行了手寫數(shù)字識別和人臉檢測等 AI 算法，準(zhǔn)確率分別為 98% 和 93%。研究人員表示，MRAM 芯片應(yīng)用于 in-memory computing（內(nèi)存內(nèi)計算）電腦，十分適合進(jìn)行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運算等，因為這種計算架構(gòu)與大腦神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)較為相似。

MRAM 器件在操作速度、耐用性和量產(chǎn)等方面具有勢，但其較低的電阻使 MRAM 存儲器在傳統(tǒng)的存內(nèi)計算架構(gòu)中無法達(dá)到低功耗要求。在本篇論文中，三星電子的研究人員構(gòu)建了種基于 MRAM 的新存內(nèi)計算架構(gòu)，填·補了這空白，這是MRAM研究的又新突破。

近期，國內(nèi)的眾多課題組也在MRAM研究上取得了許多重量的工作。例如北航的趙巍勝課題組在2020年發(fā)表在APL上的——具有垂直各向異性的氦離子輻照W-CoFeB-MgO Hall bars中的自旋軌道矩(SOT)驅(qū)動的多層轉(zhuǎn)換文中，運用了*的氦離子輻照技術(shù)對W(4 nm)/CoFeB (0.6 nm)/MgO (2 nm)/Ta (3 nm)多層膜進(jìn)行了結(jié)構(gòu)的調(diào)控，通過對調(diào)控前后以及過程中磁學(xué)和電學(xué)性質(zhì)變化的研究，表明這種使用離子輻照調(diào)控多層電阻的方法在實現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)和記憶電阻器件域顯示出巨大的潛力。

圖中Kerr 圖像顯示了 SOT 誘導(dǎo)的磁化轉(zhuǎn)換過程中Hall bars電流的增加，白色虛線表示縱向電流線和橫向電壓線。紅色方框?qū)?yīng)于氦離子輻照區(qū)域。（ii） 和 （iv） 中的黃色箭頭代表疇壁運動的方向。

離子輻照除了在MRAM研究域小試牛刀外，在斯格明子的研究中也令人眼前亮。

法國自旋電子中心(SPINTEC) 和法國Spin-Ion公司合作發(fā)表在NanoLetters上的篇文章，題目為：氦離子輻照讓磁性斯格明子“走上正軌”。文中指出，氦離子輻照可被用于在“賽道上”“創(chuàng)造”和“引導(dǎo)”斯格明子，文章證明了氦離子輻照帶來的垂直磁各向異性和DMI的變小，可導(dǎo)致穩(wěn)定的孤立斯格明子的形成。

圖中紅色軌道尺寸為6000×150 nm²，間距為300 nm，用氦離子輻照的區(qū)域。

圖中顯示了氦離子輻照的紅色軌道區(qū)域不同磁場下的MFM圖像。

以上兩篇文章采用的離子輻照設(shè)備來自法國Spin-Ion公司。法國Spin-Ion公司于2017年成立，源自法國國家研究中心/巴黎-薩克雷大學(xué)的知·名課題組。Spin-Ion公司采用Ravelosona博士的創(chuàng)新技術(shù)，在磁性材料的離子束工藝方面有20年的經(jīng)驗，擁有4項·和40多篇發(fā)表文章。Spin-Ion公司推出的產(chǎn)品——可用于多種磁性研究的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S^®，可通過緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移。該設(shè)備使用有的離子束技術(shù)在原子尺度上加工材料，可通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。目前已有20多家科研和工業(yè)的用戶以及合作伙伴使用該技術(shù)。2020年Spin-Ion公司在中國也已安裝了套系統(tǒng)，Helium-S®·有的技術(shù)能力正吸引來自相關(guān)科研圈和工業(yè)域越來越多的關(guān)注。

產(chǎn)品主要應(yīng)用域：

• 磁性隨機存儲器(MRAM)：自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機存儲(STT-MRAM), 自旋軌道矩磁性隨機存儲(SOT-MRAM), 磁疇壁磁性隨機存儲(DW-MRAM)等

• 自旋電子學(xué)：斯格明子，磁性隧道結(jié)，磁傳感器等

• 磁學(xué)相關(guān)：磁性氧化物，多鐵性材料等

• 其他：薄膜改性，芯片加工，仿神經(jīng)器件，邏輯器件等

產(chǎn)品點：

可通過緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調(diào)控磁性薄膜或晶圓的磁學(xué)性質(zhì)。

• 可提供能量范圍為1-30 keV的He⁺離子束

• 采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源

• 可對25毫米的試樣進(jìn)行快速的均勻輻照（如幾分鐘）

• 超緊湊的設(shè)計，節(jié)省實驗空間

• 也與現(xiàn)有的超高真空設(shè)備互聯(lián)

測試數(shù)據(jù)：

調(diào)控界面各向異性性質(zhì)和DMI

低電流誘發(fā)的SOT轉(zhuǎn)換獲取

控制斯格明子和磁疇壁的動態(tài)變化

用戶單位 已經(jīng)購買該設(shè)備的國內(nèi)外用戶單位：

University of California San Diego (USA)

University of California Davis (USA)

New York University (USA)

Georgetown University (USA)

Northwestern University (USA)

University of Lorraine (France)

SPINTEC Grenoble (France)

University of Cambridge (UK)

University of Manchester (UK)

Beihang University (China)

Nanyang Technological University and A*STAR (Singapore)

University of Gothenburg (Sweden)

Western Digital (USA)

IBM (USA)

Singulus Technologies (Germany)

文章列表：

[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)

[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)

[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)

[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)

[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)

[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)

[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)

[8]. Suppression of all-optical switching in He⁺ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona,  J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)

[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He⁺ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)

[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)

[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)

[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)

[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He⁺ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J  Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)

[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He⁺ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)

[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V₂O₃, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)

[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)

[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)

[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996

參考文獻(xiàn)：
[1]. Nature 601, 211-216（2022）

[2]. Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)

[3]. Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996