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納米接觸磁隧道結(jié)中自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的高階傳播自旋波

更新時間:2019-04-28點擊次數(shù):1337

      早期的磁隧道結(jié)依靠磁場實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn),這種方式往往功耗較高,隨著工藝尺寸減小, 寫入電流將急劇增大, 難以在納米磁隧道結(jié)中推廣應(yīng)用。1996年, Slonczewski和Berger從理論上預(yù)測了種被稱為自旋轉(zhuǎn)移矩(Spin Transfer Torque, STT)的純電學(xué)的磁隧道結(jié)寫入方式,克服了傳統(tǒng)磁場寫入的缺點,并且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小。2000年前后, 自旋轉(zhuǎn)移矩在實驗上被用于實現(xiàn)金屬多層膜的磁化翻轉(zhuǎn)[1]?;诖诵?yīng),種新型的微波振蕩器被提出來,即自旋轉(zhuǎn)移力矩納米振蕩器(STNO),用自旋化電流誘導(dǎo)納米磁體磁矩翻轉(zhuǎn),從而實現(xiàn)了微波振蕩。

 

      STNO的典型結(jié)構(gòu)采用個三明治結(jié)構(gòu)“固定鐵磁層FM/非磁性層NM/自由鐵磁層FM”來實現(xiàn),因為內(nèi)部阻尼的作用,為了維持自振蕩,需要106 - 108 A /cm2的大電流密度,這可以通過在三層膜上使用納米觸點對電流實現(xiàn)空間壓縮來實現(xiàn),這也是小型化磁振子器件中有效的自旋波注入器。隧穿磁電阻(TMR)比巨磁阻(GMR)高個或多個數(shù)量,為了實現(xiàn)的電子自旋波讀出,磁振子器件還必須基于磁隧道結(jié)(MTJ)。

 

圖1:a.普通納米觸點振蕩器結(jié)構(gòu);b.寬邊帽納米觸點振蕩器結(jié)構(gòu);c.磁滯回線;d.磁電阻測試:內(nèi)嵌圖為自由層的鐵磁共振頻率和面內(nèi)磁場關(guān)系。(圖片來源: Nature Communications (2018) 9:4374)

 

      與頂部金屬層相比,MTJ隧穿勢壘的導(dǎo)電性相對較低,導(dǎo)致普通納米觸點的大橫向電流分流(圖1a)。為了使更多的電流通過MTJ,哥德堡大學(xué)物理系的J. Åkerman課題組采用了寬邊帽結(jié)構(gòu)納米觸點,當(dāng)MTJ覆蓋層從納米觸點向外延伸時,帽狀帽層逐漸變薄,并使用層1.5Ωm2低阻面積(RA)產(chǎn)品的MgO進步促進隧穿勢壘(圖1b)。

 

圖2:不同驅(qū)動電流下功率譜密度和磁場關(guān)系,a Idc= −5 mA, b Idc =−6 mA, c Idc= −7 mA, d Idc = −8 mA, e Idc = −9 mA, and f Idc =−10 mA.(圖片來源: Nature Communications (2018) 9:4374)

 

      所得到的器件表現(xiàn)出與納米觸點STNO相關(guān)的典型自旋波模式,在不同驅(qū)動電流下觀測到兩個二階和三階傳播自旋波模態(tài)(如圖2),這兩種模式的波長估計分別為120和74納米,比150納米觸點小得多。該研究表明這些高階傳播的自旋波將使磁振子器件能夠在*的頻率下工作,并大大增加它們的傳輸速率和自旋波傳播長度。

 

      值得注意的是,該研究的鐵磁共振測試使用了瑞典NanOsc公司的CryoFMR結(jié)合美國Montana公司的超精細(xì)多功能無液氦低溫光學(xué)恒溫器,可以提供0.7T以上,10K~350K的變溫,以及2~40GHz的高精度鐵磁共振測試(如圖3),用戶可以快速有效的獲取阻尼系數(shù)α,以及有效磁矩 Meff,旋磁比γ,非均勻展寬ΔHo等動態(tài)磁學(xué)參數(shù),也可以表征靜態(tài)磁學(xué)性能,如飽和磁化強度Ms等。此外,NanOsc公司的FMR測試系統(tǒng)還可以搭配電磁鐵、PPMS、VersaLab等平臺進行常溫或低溫下的鐵磁共振測試。

 

圖3:CryoFMR+Montana恒溫器


      NanOsc公司注重用戶的使用體驗,許多用戶有反饋鐵磁共振測試系統(tǒng)只能固定頻率來進行磁場掃描,是否可以增加固定磁場來掃頻率的功能。經(jīng)過大半年的時間,NanOsc公司完成了設(shè)備的升與測試,兩種模式下的測試結(jié)果匹配度非常高(如圖4,如需更多測試結(jié)果,請與我們聯(lián)系)。未來正式發(fā)布的新的鐵磁共振測試系統(tǒng)可以實現(xiàn)固定磁場掃頻率的功能,原來已購買的系統(tǒng)可以進行付費升。

 

 

圖4 :NanOsc鐵磁共振測試10nm NiFe
上:固定頻率掃磁場模式 下:固定磁場掃頻率模式


參考文獻:
[1] 趙巍勝,王昭昊,彭守仲, 王樂知, 常亮, 張有光, STT-MRAM存儲器的研究進展.中國科學(xué): 物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué) 46, 107306 (2016 )
[2] Houshang, A. , J. Åkerman,et al. Nature Communication (2018) 9:4374

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